Продукція > IXYS > IXTP102N15T
IXTP102N15T

IXTP102N15T IXYS

DS99661B(IXTA-TH-TP-TQ102N15T).pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 102A TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP102N15T IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 150V, Drain current: 102A, Power dissipation: 455W, Case: TO220AB, On-state resistance: 18mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 87nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 97ns.

Інші пропозиції IXTP102N15T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP102N15T IXTP102N15T IXYS media-3319738.pdf MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15T IXTP102N15T IXYS IXTA(H,P,Q)102N15T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 97ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15T media-3319738.pdf
IXTP102N15T
Виробник: IXYS
MOSFETs 102 Amps 150V 18 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP102N15T IXTA(H,P,Q)102N15T.pdf
IXTP102N15T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 102A; 455W; TO220AB; 97ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 102A
Power dissipation: 455W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 97ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.