Продукція > IXYS > IXTP10P15T
IXTP10P15T

IXTP10P15T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+175.22 грн
10+131.11 грн
11+89.25 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP10P15T IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP10P15T за ціною від 101.41 грн до 328.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP10P15T IXTP10P15T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA03840D407D8BF&compId=IXT_10P15T.pdf?ci_sign=aab868e73793fd93dd8185240cab19c3a6c680af Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -10A; 83W; TO220AB
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -10A
Gate charge: 36nC
Reverse recovery time: 120ns
On-state resistance: 0.35Ω
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.26 грн
10+163.38 грн
11+107.10 грн
29+101.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T IXTP10P15T Виробник : IXYS DS100290(IXTA-TP-TY10P15T).pdf Description: MOSFET P-CH 150V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+272.31 грн
50+207.30 грн
100+177.69 грн
500+148.22 грн
1000+126.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T IXTP10P15T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_10P15T_Datasheet.PDF MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.19 грн
10+183.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P15T IXTP10P15T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.