Продукція > LITTELFUSE > IXTP10P50P
IXTP10P50P

IXTP10P50P Littelfuse

fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+273.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP10P50P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP10P50P за ціною від 262.88 грн до 593.60 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+375.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.18 грн
4+295.92 грн
9+280.01 грн
50+268.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-10p50p-datasheet?assetguid=02d9f7f4-854a-4f4b-b3f3-dc66c452f634 Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.87 грн
50+312.66 грн
100+287.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9E986641C6D8BF&compId=IXT_10P50P.pdf?ci_sign=2f1b1156716ce14b61d2f374794ac80d0e99ca0e Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -10A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 414ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 182 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+551.02 грн
4+368.77 грн
9+336.02 грн
50+322.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007910737-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+561.99 грн
5+485.74 грн
10+409.50 грн
50+309.45 грн
100+262.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : Ixys Corporation littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+593.60 грн
50+491.34 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : Littelfuse littelfusediscretemosfetspchannelixt10p50pdatasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP10P50P IXTP10P50P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_10P50P_Datasheet.PDF MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.