IXTP10P50P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 447 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 428.62 грн |
| 50+ | 329.43 грн |
| 100+ | 294.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP10P50P IXYS
Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP10P50P за ціною від 254.39 грн до 474.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP10P50P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP10P50P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 500 V, 10 A, 1 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP10P50P | Виробник : IXYS |
MOSFET -10.0 Amps -500V 1.000 Rds |
на замовлення 708 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTP10P50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTP10P50P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -10A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 414ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
IXTP10P50P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -500V; -10A; 300W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -500V Drain current: -10A Power dissipation: 300W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 414ns |
товар відсутній |