Продукція > IXYS CORPORATION > IXTP110N055T2
IXTP110N055T2

IXTP110N055T2 Ixys Corporation

media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
66+216.31 грн
77+184.14 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP110N055T2 Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTP110N055T2 за ціною від 113.22 грн до 320.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+235.72 грн
3+187.86 грн
5+166.89 грн
10+134.18 грн
15+117.41 грн
25+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.58 грн
10+203.11 грн
50+157.69 грн
100+134.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_110N055T2_Datasheet.PDF MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTA(P)110N055T2.pdf
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.72 грн
3+187.86 грн
5+166.89 грн
10+134.18 грн
15+117.41 грн
25+113.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+320.58 грн
10+203.11 грн
50+157.69 грн
100+134.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_110N055T2_Datasheet.PDF
IXTP110N055T2
Виробник: IXYS
MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.