Продукція > IXYS CORPORATION > IXTP110N055T2
IXTP110N055T2

IXTP110N055T2 Ixys Corporation

media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
66+213.42 грн
77+181.68 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP110N055T2 Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP110N055T2 за ціною від 102.22 грн до 318.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.28 грн
3+187.50 грн
5+166.58 грн
10+133.93 грн
15+117.19 грн
25+113.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-110n055t2-datasheet?assetguid=21c020da-ce9b-49ec-a4f7-c30b99262b3a Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.13 грн
50+122.54 грн
100+110.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_110N055T2_Datasheet.PDF MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.03 грн
10+154.35 грн
100+109.18 грн
500+102.92 грн
1000+102.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.