Продукція > IXYS > IXTP110N055T2
IXTP110N055T2

IXTP110N055T2 IXYS


IXTA(P)110N055T2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 89 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.62 грн
9+ 94.34 грн
24+ 88.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP110N055T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP110N055T2 за ціною від 91.23 грн до 215.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : IXYS IXTA(P)110N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 89 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+170.33 грн
3+ 147.82 грн
9+ 113.21 грн
24+ 106.55 грн
250+ 104.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : IXYS media-3320004.pdf MOSFET 110 Amps 55V 0.0066 Rds
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.99 грн
10+ 173.84 грн
100+ 117.87 грн
250+ 109.88 грн
500+ 98.56 грн
1000+ 91.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n055t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP110N055T2 IXTP110N055T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_110n055t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V
товар відсутній