IXTP110N055T2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 38ns
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 171.44 грн |
| 10+ | 134.76 грн |
| 50+ | 114.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP110N055T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP110N055T2 за ціною від 112.68 грн до 265.80 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP110N055T2 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP110N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 180W; TO220AB; 38ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 110A Power dissipation: 180W Case: TO220AB On-state resistance: 6.6mΩ Mounting: THT Gate charge: 57nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 38ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 304 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP110N055T2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 110 Amps 55V 0.0066 Rds |
на замовлення 139 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP110N055T2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3060 pF @ 25 V |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP110N055T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTP110N055T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |