Продукція > IXYS > IXTP120N04T2
IXTP120N04T2

IXTP120N04T2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_120n04t2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+136.37 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP120N04T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 25A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTP120N04T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP120N04T2 IXTP120N04T2 IXYS media-3321641.pdf MOSFET 120 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2 IXTP120N04T2 IXYS IXTA(P)120N04T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 58nC
Reverse recovery time: 35ns
On-state resistance: 6.1mΩ
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2 media-3321641.pdf
IXTP120N04T2
Виробник: IXYS
MOSFET 120 Amps 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120N04T2 IXTA(P)120N04T2.pdf
IXTP120N04T2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 200W; TO220AB; 35ns
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain current: 120A
Drain-source voltage: 40V
Gate charge: 58nC
Reverse recovery time: 35ns
On-state resistance: 6.1mΩ
Power dissipation: 200W
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.