на замовлення 881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 596.68 грн |
10+ | 518.46 грн |
50+ | 382.91 грн |
100+ | 370.26 грн |
500+ | 332.97 грн |
1000+ | 294.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP120N20X4 IXYS
Description: MOSFET, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V, Power Dissipation (Max): 417W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 (IXTP), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP120N20X4 за ціною від 281.56 грн до 549.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP120N20X4 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 60A, 10V Power Dissipation (Max): 417W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 (IXTP) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 108 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6100 pF @ 25 V |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP120N20X4 | Виробник : Littelfuse | Discrete MOSFET 120A 200V X4 TO220 |
товар відсутній |
||||||||||||||
IXTP120N20X4 | Виробник : Littelfuse | IXTP120N20X4 |
товар відсутній |