Продукція > IXYS > IXTP120P065T
IXTP120P065T

IXTP120P065T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 282 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+411.70 грн
4+271.95 грн
10+257.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP120P065T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP120P065T за ціною від 252.12 грн до 582.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA0B2A73C5A98BF&compId=IXT_120P065T.pdf?ci_sign=5825eced03e83efccef79458a32fe4ed6d717ef7 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Reverse recovery time: 53ns
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
On-state resistance: 10mΩ
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±15V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 282 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+494.04 грн
4+338.90 грн
10+308.63 грн
500+297.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+499.47 грн
50+276.59 грн
100+256.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+573.20 грн
10+309.61 грн
100+283.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : IXYS media-3319649.pdf MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+582.20 грн
10+425.48 грн
50+345.37 грн
100+307.32 грн
500+268.54 грн
2500+252.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.