Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXTP120P065T
IXTP120P065T

IXTP120P065T IXYS SEMICONDUCTOR

LFSI-S-A0007925045-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+477.84 грн
10+274.82 грн
100+269.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP120P065T IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP120P065T за ціною від 238.36 грн до 523.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+492.61 грн
50+272.78 грн
100+252.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : IXYS media-3319649.pdf MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.56 грн
10+445.01 грн
50+256.75 грн
100+238.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_120p065t_datasheet.pdf.pdf IXTP120P065T THT P channel transistors
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+513.00 грн
4+321.86 грн
10+304.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.