Продукція > IXYS > IXTP120P065T
IXTP120P065T

IXTP120P065T IXYS

IXT_120P065T.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Reverse recovery time: 53ns
Mounting: THT
Power dissipation: 298W
Gate charge: 185nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -120A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -65V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+586.57 грн
5+444.56 грн
10+392.81 грн
50+295.24 грн
100+294.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP120P065T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 65V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 120A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP120P065T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_120P065T_Datasheet.PDF MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T IXTP120P065T IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_120P065T_Datasheet.PDF
IXTP120P065T
Виробник: IXYS
MOSFETs -120 Amps -65V 0.01 Rds
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP120P065T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120p065t-datasheet?assetguid=15f284ef-9657-4925-b296-4f60552beceb
IXTP120P065T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP120P065T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 65 V, 120 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 65V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.