IXTP120P065T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -65V
Drain current: -120A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 185nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 83 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 365.3 грн |
| 3+ | 305.22 грн |
| 4+ | 242.79 грн |
| 10+ | 229.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP120P065T IXYS
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 298W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP120P065T за ціною від 235.08 грн до 438.96 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP120P065T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -120A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -120A Power dissipation: 298W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 185nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 53ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : IXYS |
MOSFET -120 Amps -65V 0.01 Rds |
на замовлення 657 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 65V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTP120P065T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13200 pF @ 25 V |
товар відсутній |