IXTP12N50P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 264.21 грн |
| 50+ | 128.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP12N50P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP12N50P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP12N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTP12N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A On-state resistance: 0.5Ω кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTP12N50P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 12 Amps 500V 0.5 Ohm Rds |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTP12N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 200W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Gate charge: 29nC Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±30V Reverse recovery time: 300ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A On-state resistance: 0.5Ω |
товару немає в наявності |