Продукція > LITTELFUSE > IXTP12N65X2M

IXTP12N65X2M Littelfuse

Name: IXTP12N65X2M
Brand: IXYS
SKU: 459857552-1
Price: 295.67 UAH
Availability: BackOrder

fets_n-channel_ultra_junction_ixtp12n65x2m_datasheet.pdf.pdf

Виробник: Littelfuse
X2-Class Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTP12N65X2M Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP12N65X2M

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTP12N65X2M	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.7nC Pulsed drain current: 24A кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP12N65X2M	Виробник : Littelfuse Inc.	Description: MOSFET N-CH 650V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP12N65X2M	Виробник : IXYS	MOSFETs TO220 650V 12A N-CH X2CLASS	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTP12N65X2M	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 24A; 40W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Power dissipation: 40W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 17.7nC Pulsed drain current: 24A	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.