на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 389.52 грн |
| 5+ | 245.91 грн |
| 13+ | 232.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP12N70X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 180W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP12N70X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP12N70X2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 700V 12A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTP12N70X2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO220 700V 12A N-CH X2CLASS |
товару немає в наявності |