IXTP130N10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 130A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 9.1mΩ
Power dissipation: 360W
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 104nC
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Reverse recovery time: 67ns
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 297.10 грн |
| 3+ | 226.33 грн |
| 7+ | 178.40 грн |
| 17+ | 169.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP130N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP130N10T за ціною від 164.18 грн до 412.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP130N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTP130N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 130A; 360W; TO220AB; 67ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 130A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 9.1mΩ Power dissipation: 360W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 104nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 67ns Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTP130N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTP130N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTP130N10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs MOSFET Id130 BVdass100 |
товару немає в наявності |