Продукція > IXYS > IXTP130N15X4
IXTP130N15X4

IXTP130N15X4 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2892EBE01F77820&compId=IXTH(P)130N15X4.pdf?ci_sign=7bebcf155b0b8631aec3241bd97b7a01a507017d Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 93ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+460.53 грн
3+384.00 грн
4+306.25 грн
9+289.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP130N15X4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP130N15X4 за ціною від 259.96 грн до 556.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.52 грн
50+389.85 грн
100+348.82 грн
500+288.84 грн
1000+259.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2892EBE01F77820&compId=IXTH(P)130N15X4.pdf?ci_sign=7bebcf155b0b8631aec3241bd97b7a01a507017d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 87nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 93ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.63 грн
3+478.52 грн
4+367.49 грн
9+347.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 Виробник : IXYS media-3323517.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+556.26 грн
10+512.40 грн
50+388.44 грн
100+348.07 грн
250+339.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 Виробник : Littelfuse media.pdf X4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.