Продукція > IXYS > IXTP130N15X4
IXTP130N15X4

IXTP130N15X4 IXYS

IXTH(P)130N15X4.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Gate charge: 87nC
Reverse recovery time: 93ns
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 400W
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+440.69 грн
3+368.21 грн
10+325.56 грн
50+291.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP130N15X4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP130N15X4 за ціною від 268.70 грн до 574.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_130n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+524.58 грн
50+402.96 грн
100+360.55 грн
500+298.55 грн
1000+268.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 Виробник : IXYS IXTH(P)130N15X4.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 130A
Gate charge: 87nC
Reverse recovery time: 93ns
On-state resistance: 8.5mΩ
Power dissipation: 400W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 285 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+528.82 грн
3+458.84 грн
10+390.68 грн
50+350.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 IXTP130N15X4 Виробник : IXYS media-3323517.pdf MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+574.96 грн
10+529.63 грн
50+401.50 грн
100+359.78 грн
250+351.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP130N15X4 Виробник : Littelfuse media.pdf X4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.