IXTP130N15X4 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 150V 130A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V
на замовлення 1446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 507.80 грн |
| 50+ | 390.07 грн |
| 100+ | 349.01 грн |
| 500+ | 289.00 грн |
| 1000+ | 260.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP130N15X4 IXYS
Description: MOSFET N-CH 150V 130A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP130N15X4 за ціною від 339.88 грн до 556.56 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP130N15X4 | Виробник : IXYS |
MOSFET MSFT N-CH HIPERFET-Q 3&44 |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTP130N15X4 | Виробник : Littelfuse |
X4-Class Power MOSFET |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
|
IXTP130N15X4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 400W Case: TO220AB On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 93ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
|
IXTP130N15X4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 130A; 400W; TO220AB; 93ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 130A Power dissipation: 400W Case: TO220AB On-state resistance: 8.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 87nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 93ns Features of semiconductor devices: ultra junction x-class |
товару немає в наявності |

