IXTP140N12T2

IXTP140N12T2 Littelfuse Inc.


Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 577W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V
на замовлення 146 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+451.86 грн
50+316.77 грн
100+270.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP140N12T2 Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 577W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 120 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP140N12T2 за ціною від 260.33 грн до 517.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : IXYS media-3320606.pdf MOSFETs TO220 120V 140A N-CH TRENCH
на замовлення 492 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.80 грн
10+428.91 грн
50+329.70 грн
100+281.22 грн
500+260.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3CDE4D4C598B820&compId=IXTA(P)140N12T2.pdf?ci_sign=96847b55de5591e2d4cc16630b5a64962539e9ba Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 577W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 174nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 65ns
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
On-state resistance: 10mΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.