Продукція > IXYS > IXTP140N12T2
IXTP140N12T2

IXTP140N12T2 IXYS

media-3320606.pdf Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN2
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+451.03 грн
10+ 373.55 грн
50+ 313.53 грн
100+ 259.72 грн
250+ 252.42 грн
500+ 231.16 грн
1000+ 225.18 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP140N12T2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 120V, Drain current: 140A, Power dissipation: 577W, Case: TO220AB, On-state resistance: 10mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 174nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 65ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTP140N12T2 за ціною від 225.46 грн до 472.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_140n12t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 120V 140A TO220AB
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+472.09 грн
10+ 408.45 грн
100+ 334.63 грн
500+ 267.33 грн
1000+ 225.46 грн
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Power MOSFET
товар відсутній
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : IXYS IXTA(P)140N12T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Power dissipation: 577W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 65ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP140N12T2 IXTP140N12T2 Виробник : IXYS IXTA(P)140N12T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 140A; 577W; TO220AB; 65ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 120V
Drain current: 140A
Power dissipation: 577W
Case: TO220AB
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 174nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 65ns
товар відсутній