
IXTP140P05T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 7858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 536.38 грн |
50+ | 285.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP140P05T Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTP140P05T за ціною від 228.49 грн до 656.60 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 298W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 53ns Drain-source voltage: -50V Drain current: -140A On-state resistance: 9mΩ Gate charge: 200nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V |
на замовлення 224 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP140P05T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 140A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 298W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 608 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Power dissipation: 298W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Reverse recovery time: 53ns Drain-source voltage: -50V Drain current: -140A On-state resistance: 9mΩ Gate charge: 200nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±15V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 224 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IXTP140P05T Код товару: 124450
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
![]() |
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |