Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IXTP140P05T

IXTP140P05T

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Код товару: 124450
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP140P05T за ціною від 355.13 грн до 822.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS IXT_140P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+749.49 грн
3+390.46 грн
7+369.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 8222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+793.21 грн
10+525.19 грн
50+423.13 грн
100+377.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_140P05T_Datasheet.PDF MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+822.43 грн
10+464.37 грн
100+383.27 грн
500+370.34 грн
1000+355.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXT_140P05T.pdf
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 53ns
на замовлення 167 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+749.49 грн
3+390.46 грн
7+369.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 8222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+793.21 грн
10+525.19 грн
50+423.13 грн
100+377.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_140P05T_Datasheet.PDF
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 1229 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+822.43 грн
10+464.37 грн
100+383.27 грн
500+370.34 грн
1000+355.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T LFSI-S-A0007924996-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP140P05T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 9000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 298W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9000µohm
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.