Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IXTP140P05T

IXTP140P05T

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
Код товару: 124450
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP140P05T за ціною від 285.52 грн до 665.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS IXT_140P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+546.98 грн
5+430.03 грн
50+369.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS media-3321333.pdf MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+577.61 грн
10+566.93 грн
50+285.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXTP140P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21 Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+665.37 грн
50+355.15 грн
100+340.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T IXT_140P05T.pdf
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -140A; 298W; 53ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 298W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -140A
Reverse recovery time: 53ns
Gate charge: 200nC
On-state resistance: 9mΩ
Gate-source voltage: ±15V
на замовлення 211 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+546.98 грн
5+430.03 грн
50+369.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T media-3321333.pdf
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+577.61 грн
10+566.93 грн
50+285.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP140P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-140p05t-datasheet?assetguid=76e37d2a-9358-493f-b7bc-11456da38b21
IXTP140P05T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V
на замовлення 3945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+665.37 грн
50+355.15 грн
100+340.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.