IXTP140P05T IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 140A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 560.92 грн |
| 5+ | 468.79 грн |
| 10+ | 377.48 грн |
| 50+ | 264.97 грн |
| 100+ | 233.41 грн |
| 250+ | 228.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP140P05T IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP140P05T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 140 A, 0.009 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 140A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.009ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTP140P05T за ціною від 283.72 грн до 597.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
MOSFETs -140 Amps -50V 0.008 Rds |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTP140P05T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 50V 140A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 298W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 25 V |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTP140P05T Код товару: 124450
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXTP140P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |


