на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 370.75 грн |
| 10+ | 197.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP14N60P IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP14N60P за ціною від 185.84 грн до 402.28 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP14N60P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 600V 14A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTP14N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXTP14N60P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
IXTP14N60P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 14A; 300W; TO220AB; 500ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 14A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 0.5µs Gate charge: 36nC Features of semiconductor devices: standard power mosfet |
товару немає в наявності |



