Продукція > IXYS > IXTP14N60PM

IXTP14N60PM IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
IXTP14N60PM THT N channel transistors
товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP14N60PM IXYS

Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 75W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP14N60PM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP14N60PM IXTP14N60PM Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp14n60pm_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP14N60PM IXTP14N60PM Виробник : IXYS media-3320105.pdf MOSFETs TO220 600V 7A N-CH POLAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.