Продукція > IXYS > IXTP150N15X4
IXTP150N15X4

IXTP150N15X4 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+673.28 грн
3+403.04 грн
7+380.82 грн
50+366.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP150N15X4 IXYS

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP150N15X4 за ціною від 324.46 грн до 807.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_150n15x4_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5500 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+675.60 грн
50+383.35 грн
100+356.58 грн
500+324.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 Виробник : IXYS media-3323759.pdf MOSFETs TO220 150V 150A N-CH HIPER
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+677.99 грн
10+643.78 грн
50+357.21 грн
100+341.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A2893A5E251C9820&compId=IXTH(P)150N15X4.pdf?ci_sign=e12fd6602b056817d889d35f60740c06e4058b1c Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 150A; 480W; TO220AB; 100ns
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Gate charge: 105nC
Reverse recovery time: 100ns
On-state resistance: 7.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 150A
Drain-source voltage: 150V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 289 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+807.93 грн
3+502.25 грн
7+456.99 грн
50+439.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 Виробник : Littelfuse media.pdf X4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP150N15X4 IXTP150N15X4 Виробник : Littelfuse media.pdf X4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.