Продукція > IXYS > IXTP15N50L2
IXTP15N50L2

IXTP15N50L2 IXYS

IXTA(H,P)15N50L2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 313 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+701.04 грн
5+520.60 грн
10+450.34 грн
50+435.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP15N50L2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 300W, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.

Інші пропозиції IXTP15N50L2 за ціною від 312.64 грн до 1011.63 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1 Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+785.62 грн
50+423.05 грн
100+390.93 грн
500+314.16 грн
1000+312.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_15N50_Datasheet.PDF MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+905.79 грн
10+504.66 грн
100+410.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1011.63 грн
5+869.69 грн
10+727.75 грн
50+543.97 грн
100+478.21 грн
250+453.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+785.62 грн
50+423.05 грн
100+390.93 грн
500+314.16 грн
1000+312.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Linear_IXT_15N50_Datasheet.PDF
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFETs LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 602 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+905.79 грн
10+504.66 грн
100+410.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15N50L2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-15n50-datasheet?assetguid=e0766732-683f-41fb-b1d7-3cf72c201de1
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+1011.63 грн
5+869.69 грн
10+727.75 грн
50+543.97 грн
100+478.21 грн
250+453.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.