IXTP15N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 652.17 грн |
| 5+ | 605.85 грн |
| 10+ | 558.79 грн |
| 50+ | 475.87 грн |
| 100+ | 399.56 грн |
| 250+ | 391.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP15N50L2 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP15N50L2 - Leistungs-MOSFET, LINEAR L2™, n-Kanal, 500 V, 15 A, 0.48 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48ohm.
Інші пропозиції IXTP15N50L2 за ціною від 354.28 грн до 720.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP15N50L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A |
на замовлення 1063 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTP15N50L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTP15N50L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 570ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTP15N50L2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
IXTP15N50L2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
IXTP15N50L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO220AB; 570ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 15A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.48Ω Mounting: THT Gate charge: 123nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: linear power mosfet Reverse recovery time: 570ns |
товар відсутній |