Продукція > IXYS > IXTP15P15T
IXTP15P15T

IXTP15P15T IXYS

littelfusediscretemosfetspchannelixt15p15td.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.47 грн
50+146.76 грн
100+131.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP15P15T IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 15A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP15P15T за ціною від 177.79 грн до 239.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS IXT_15P15T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+239.34 грн
50+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXTP15P15T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_15P15T_Datasheet.PDF MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T IXT_15P15T.pdf
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -150V; -15A; 150W; 116ns
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -15A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Gate charge: 48nC
Reverse recovery time: 116ns
на замовлення 130 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+239.34 грн
50+177.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP15P15T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_15P15T_Datasheet.PDF
IXTP15P15T
Виробник: IXYS
MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.