IXTP160N10T IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 259.22 грн |
| 10+ | 218.14 грн |
| 100+ | 176.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP160N10T IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 0.0061 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 160A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 430W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm.
Інші пропозиції IXTP160N10T за ціною від 142.26 грн до 351.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP160N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 132nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 60ns |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP160N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 132nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 60ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 2121 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET 160 Amps 100V 6.9 Rds |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |