Інші пропозиції IXTP160N10T за ціною від 152.51 грн до 418.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP160N10T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP160N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP160N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP160N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 430W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Kind of package: tube Case: TO220AB Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Gate charge: 132nC Reverse recovery time: 60ns On-state resistance: 7mΩ Power dissipation: 430W Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement Mounting: THT |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP160N10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP160N10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| IXTP160N10T |
MOSFET N-CH 100V 160A TO-220 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |