Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP160N10T

IXTP160N10T

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n10t_datasheet.pdf.pdf
Код товару: 202698
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP160N10T за ціною від 154.58 грн до 481.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP160N10T IXTP160N10T Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.01 грн
50+203.72 грн
100+187.75 грн
500+154.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+406.59 грн
10+262.42 грн
50+217.55 грн
100+211.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+438.13 грн
10+346.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_160N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+481.61 грн
10+257.99 грн
100+196.91 грн
500+191.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_160n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTP160N10T
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+375.01 грн
50+203.72 грн
100+187.75 грн
500+154.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Gate charge: 132nC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 7mΩ
Power dissipation: 430W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+406.59 грн
10+262.42 грн
50+217.55 грн
100+211.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP160N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+438.13 грн
10+346.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_160N10T_Datasheet.PDF
IXTP160N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+481.61 грн
10+257.99 грн
100+196.91 грн
500+191.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.