Інші пропозиції IXTP160N10T за ціною від 182.99 грн до 496.15 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP160N10T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP160N10T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP160N10T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP160N10T | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP160N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 160A Power dissipation: 430W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 60ns Gate charge: 132nC Kind of package: tube |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP160N10T | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP160N10T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 430W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP160N10T | IXYS |
MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTP160N10T | IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 160A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V Verlustleistung: 430W SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm |
на замовлення 76 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 202.94 грн |
| 50+ | 198.24 грн |
| 100+ | 191.81 грн |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 70+ | 203.90 грн |
| 72+ | 199.19 грн |
| 100+ | 192.72 грн |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 264.58 грн |
| 50+ | 255.62 грн |
| 100+ | 236.67 грн |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 53+ | 270.14 грн |
| 56+ | 255.62 грн |
| 100+ | 236.76 грн |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 402.81 грн |
| 10+ | 259.98 грн |
| 50+ | 215.53 грн |
| 100+ | 209.66 грн |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 34+ | 424.86 грн |
| 50+ | 377.16 грн |
| 100+ | 356.09 грн |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 496.15 грн |
| 10+ | 321.31 грн |
| 50+ | 254.29 грн |
| 100+ | 218.42 грн |
| 500+ | 182.99 грн |
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTP160N10T |
![]() |
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







