IXTP160N10T


IXTP160N10T.pdf
Код товару: 202698
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP160N10T за ціною від 182.99 грн до 496.15 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP160N10T IXTP160N10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+202.94 грн
50+198.24 грн
100+191.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+203.90 грн
72+199.19 грн
100+192.72 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+264.58 грн
50+255.62 грн
100+236.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+270.14 грн
56+255.62 грн
100+236.76 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXT_160N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+402.81 грн
10+259.98 грн
50+215.53 грн
100+209.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+424.86 грн
50+377.16 грн
100+356.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS IXTP160N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+496.15 грн
10+321.31 грн
50+254.29 грн
100+218.42 грн
500+182.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_160N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+202.94 грн
50+198.24 грн
100+191.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
70+203.90 грн
72+199.19 грн
100+192.72 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+264.58 грн
50+255.62 грн
100+236.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
53+270.14 грн
56+255.62 грн
100+236.76 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXT_160N10T.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 100V; 160A; 430W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 60ns
Gate charge: 132nC
Kind of package: tube
на замовлення 228 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+402.81 грн
10+259.98 грн
50+215.53 грн
100+209.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 160A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
34+424.86 грн
50+377.16 грн
100+356.09 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T IXTP160N10T.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+496.15 грн
10+321.31 грн
50+254.29 грн
100+218.42 грн
500+182.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_160N10T_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP160N10T LFSI-S-A0007925022-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP160N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 160 A, 6100 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 160A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 430W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6100µohm
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.