Продукція > IXYS > IXTP16N50P
IXTP16N50P

IXTP16N50P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+318.88 грн
5+185.26 грн
14+175.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP16N50P IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP16N50P за ціною від 189.20 грн до 382.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP16N50P IXTP16N50P Виробник : IXYS media-3319677.pdf MOSFETs 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.31 грн
10+309.78 грн
50+197.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-16N50P-Datasheet.PDF?assetguid=19BC6D28-7D7C-450A-98BC-0B3E7D6BA112 Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.30 грн
50+206.54 грн
100+189.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED6AF9067D8D9423E27&compId=IXTP16N50P-DTE.pdf?ci_sign=3ef90a423153489401ddc91865f2d49d78e456f1 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: PolarHT™
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+382.66 грн
5+230.86 грн
14+210.22 грн
1000+205.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP16N50P IXTP16N50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.