IXTP170N075T2 Ixys Corporation
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 54+ | 240.45 грн |
| 55+ | 238.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP170N075T2 Ixys Corporation
Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP170N075T2 за ціною від 147.32 грн до 349.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP170N075T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 75V 170A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 25 V |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTP170N075T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 360W; TO220AB; 63ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 170A Power dissipation: 360W Case: TO220AB On-state resistance: 5.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 109nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 63ns |
на замовлення 283 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTP170N075T2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 170 Amps 75V |
на замовлення 322 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
IXTP170N075T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |