Продукція > IXYS > IXTP180N10T
IXTP180N10T

IXTP180N10T IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-180n10t-datasheet?assetguid=a45c8ae2-5c3f-4d3f-be24-0a3d6e97b45b
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+641.63 грн
10+421.77 грн
50+337.92 грн
100+291.83 грн
500+247.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP180N10T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTP180N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 180A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, Verlustleistung: 480W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm.

Інші пропозиції IXTP180N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP180N10T IXTP180N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_180N10T_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id180 BVdass100
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10T IXTP180N10T LITTELFUSE 4598134.pdf Description: LITTELFUSE - IXTP180N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_180N10T_Datasheet.PDF
IXTP180N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET Id180 BVdass100
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP180N10T 4598134.pdf
IXTP180N10T
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP180N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 180 A, 5700 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 480W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.