Продукція > IXYS > IXTP180N10T
IXTP180N10T

IXTP180N10T IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_180n10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 3209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.57 грн
50+ 325.78 грн
100+ 291.49 грн
500+ 241.37 грн
1000+ 217.23 грн
2000+ 203.55 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP180N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP180N10T за ціною від 253.72 грн до 459.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP180N10T IXTP180N10T Виробник : IXYS media-3322127.pdf MOSFET MOSFET Id180 BVdass100
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+459.94 грн
10+ 389.81 грн
50+ 283.02 грн
100+ 261.71 грн
250+ 255.05 грн
500+ 253.72 грн
IXTP180N10T IXTP180N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_180n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP180N10T IXTP180N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP180N10T IXTP180N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP180N10T IXTP180N10T Виробник : IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP180N10T IXTP180N10T Виробник : IXYS IXTA(P)180N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 480W; TO220AB; 72ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 180A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 6.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 151nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 72ns
товар відсутній