IXTP18P10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Mounting: THT
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.12Ω
Drain current: -18A
Drain-source voltage: -100V
Reverse recovery time: 62ns
Case: TO220AB
Gate charge: 39nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of package: tube
на замовлення 269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.03 грн |
| 10+ | 86.02 грн |
| 26+ | 81.16 грн |
| 50+ | 80.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP18P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP18P10T за ціною від 72.13 грн до 191.9 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.12Ω Drain current: -18A Drain-source voltage: -100V Reverse recovery time: 62ns Case: TO220AB Gate charge: 39nC Technology: TrenchP™ Kind of channel: enhanced Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 83W Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 269 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
MOSFET 18 Amps 100V 0.12 Rds |
на замовлення 484 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |