Інші пропозиції IXTP18P10T за ціною від 81.57 грн до 275.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP18P10T | IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -18A Gate charge: 39nC Reverse recovery time: 62ns On-state resistance: 0.12Ω Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 83W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTP18P10T | IXYS |
MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTP18P10T | IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 3715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IXTP18P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate charge: 39nC
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Case: TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchP™
Mounting: THT
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Gate charge: 39nC
Reverse recovery time: 62ns
On-state resistance: 0.12Ω
Gate-source voltage: ±15V
Power dissipation: 83W
Kind of channel: enhancement
на замовлення 341 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 226.69 грн |
| 10+ | 181.15 грн |
| 25+ | 147.60 грн |
| 50+ | 117.41 грн |
| 100+ | 93.93 грн |
| IXTP18P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 256.86 грн |
| 10+ | 129.00 грн |
| 100+ | 100.33 грн |
| 500+ | 85.00 грн |
| IXTP18P10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 275.90 грн |
| 50+ | 135.02 грн |
| 100+ | 122.32 грн |
| 500+ | 93.91 грн |
| 1000+ | 87.21 грн |
| 2000+ | 81.57 грн |





