Інші пропозиції IXTP18P10T за ціною від 71.31 грн до 280.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB Case: TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Mounting: THT Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -18A Gate charge: 39nC Reverse recovery time: 62ns On-state resistance: 0.12Ω Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 83W Kind of channel: enhancement |
на замовлення 341 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 4689 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds |
на замовлення 1060 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP18P10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |




