Продукція > Транзистори > Польові P-канальні > IXTP18P10T

IXTP18P10T

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
Код товару: 210499
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові P-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP18P10T за ціною від 80.64 грн до 285.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682 Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+272.77 грн
50+133.48 грн
100+120.93 грн
500+92.85 грн
1000+86.22 грн
2000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+285.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T IXTP18P10T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-18P10T-Datasheet.PDF MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-18p10t-datasheet?assetguid=5c1b0780-b7a9-4cdb-8b92-3cdd987c0682
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
на замовлення 3715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+272.77 грн
50+133.48 грн
100+120.93 грн
500+92.85 грн
1000+86.22 грн
2000+80.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T media.pdf
IXTP18P10T
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+285.13 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP18P10T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-18P10T-Datasheet.PDF
IXTP18P10T
Виробник: IXYS
MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds
на замовлення 1060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.