IXTP18P10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -18A
Power dissipation: 83W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: TrenchP™
Reverse recovery time: 62ns
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 217.60 грн |
| 10+ | 128.07 грн |
| 25+ | 113.76 грн |
| 50+ | 105.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP18P10T IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP18P10T за ціною від 74.05 грн до 262.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 100V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP18P10T | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -100V; -18A; 83W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -18A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: THT Gate charge: 39nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: TrenchP™ Reverse recovery time: 62ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP18P10T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 18 Amps 100V 0.12 Rds |
на замовлення 1263 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP18P10T Код товару: 210499
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові P-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
 |
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTP18P10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |