IXTP1N100P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.51 грн |
| 50+ | 164.61 грн |
| 100+ | 135.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP1N100P за ціною від 93.73 грн до 236.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP1N100P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 1 Amps 1000V 14 Rds |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP1N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
