Продукція > IXYS > IXTP1N120P
IXTP1N120P

IXTP1N120P IXYS


ixys_s_a0008595729_1-2272922.pdf Виробник: IXYS
MOSFET 1 Amps 1200V 20 Rds
на замовлення 90 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+376.82 грн
10+ 333.46 грн
50+ 274.11 грн
100+ 237.78 грн
500+ 202.12 грн
1000+ 175.04 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP1N120P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO220AB; 900ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 1A, Power dissipation: 63W, Case: TO220AB, On-state resistance: 20Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Reverse recovery time: 900ns, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTP1N120P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP1N120P IXTP1N120P Виробник : IXYS IXTA1N120P,%20IXTP1N120P.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 1A TO-220
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXTP1N120P IXTP1N120P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXTP1N120P IXTP1N120P Виробник : IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO220AB; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP1N120P IXTP1N120P Виробник : IXYS IXTY(A,P)1N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 1A; 63W; TO220AB; 900ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 1A
Power dissipation: 63W
Case: TO220AB
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 900ns
товар відсутній