IXTP1R4N120P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 378.22 грн |
| 50+ | 288.50 грн |
| 100+ | 247.28 грн |
| 500+ | 206.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1R4N120P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO220AB, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA.
Інші пропозиції IXTP1R4N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP1R4N120P | IXYS |
MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP1R4N120P |
|
Виробник: IXYS
MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
MOSFET 1.4 Amps 1200V 15 Rds
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)