Продукція > IXYS > IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2 IXYS

IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
на замовлення 253 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+375.79 грн
6+163.86 грн
17+154.52 грн
250+151.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Мінімальна партія: 2 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP1R6N100D2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1kV, Drain current: 1.6A, Power dissipation: 100W, Case: TO220AB, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 10Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: depletion, Reverse recovery time: 11ns, Gate charge: 645nC.

Інші пропозиції IXTP1R6N100D2 за ціною від 137.72 грн до 415.18 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=B9C87FA9-703D-4EAD-BA41-5F1AD2BFF1F0&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-1R6N100-Datasheet.PDF Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+387.23 грн
10+248.03 грн
50+194.31 грн
100+166.14 грн
500+137.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 593 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+415.18 грн
10+213.71 грн
100+168.53 грн
500+148.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 media?resourcetype=datasheets&itemid=B9C87FA9-703D-4EAD-BA41-5F1AD2BFF1F0&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Depletion-Mode-IXT-1R6N100-Datasheet.PDF
IXTP1R6N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
на замовлення 686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+387.23 грн
10+248.03 грн
50+194.31 грн
100+166.14 грн
500+137.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_1R6N100_Datasheet.PDF
IXTP1R6N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 593 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+415.18 грн
10+213.71 грн
100+168.53 грн
500+148.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.