на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.67 грн |
| 50+ | 210.21 грн |
| 100+ | 159.18 грн |
| 250+ | 153.09 грн |
| 500+ | 134.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1R6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP1R6N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 11ns Gate charge: 645nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTP1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Reverse recovery time: 11ns Gate charge: 645nC Drain current: 1.6A On-state resistance: 10Ω Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 100W Drain-source voltage: 1kV Kind of channel: depletion Type of transistor: N-MOSFET |
товару немає в наявності |