Продукція > IXYS > IXTP1R6N100D2
IXTP1R6N100D2

IXTP1R6N100D2 IXYS

IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 645nC
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 11ns
Drain-source voltage: 1kV
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+145.60 грн
8+116.48 грн
22+109.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP1R6N100D2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP1R6N100D2 за ціною від 129.66 грн до 310.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P,Y)1R6N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Drain current: 1.6A
On-state resistance: 10Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 100W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 645nC
Kind of channel: depletion
Gate-source voltage: ±20V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 11ns
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+210.94 грн
3+181.44 грн
8+139.78 грн
22+131.50 грн
250+129.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 Виробник : IXYS media-3322551.pdf MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.70 грн
50+203.05 грн
100+153.76 грн
250+147.87 грн
500+130.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP1R6N100D2 IXTP1R6N100D2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-1r6n100-datasheet?assetguid=b9c87fa9-703d-4ead-ba41-5f1ad2bff1f0 Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.