IXTP1R6N100D2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 11ns
Gate charge: 645nC
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 279.01 грн |
| 10+ | 227.12 грн |
| 50+ | 165.71 грн |
| 100+ | 147.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1R6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP1R6N100D2 за ціною від 138.37 грн до 324.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| IXTP1R6N100D2 | Виробник : IXYS/Littelfuse |
N-канальний ПТ, Udss, В = 1 000, Id = 1,6 A, Qg, нКл = 27 @ 5 В, Rds = 10 Ом @ 0,8 A, 0 В, Р, Вт = 100, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||
 |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |