IXTP1R6N100D2 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 1.6A; 100W; TO220AB; 11ns
Mounting: THT
Drain current: 1.6A
Kind of channel: depletion
Drain-source voltage: 1kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 10Ω
Reverse recovery time: 11ns
Power dissipation: 100W
Gate charge: 645nC
Polarisation: unipolar
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 275.62 грн |
| 10+ | 224.36 грн |
| 50+ | 163.70 грн |
| 100+ | 145.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1R6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP1R6N100D2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP1R6N100D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A |
на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP1R6N100D2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 1.6A
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)