
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 314.27 грн |
50+ | 205.38 грн |
100+ | 155.52 грн |
250+ | 149.57 грн |
500+ | 131.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP1R6N100D2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP1R6N100D2 за ціною від 133.01 грн до 224.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP1R6N100D2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
![]() |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||
![]() |
IXTP1R6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 800mA, 0V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |