Продукція > IXYS > IXTP1R6N50D2
IXTP1R6N50D2

IXTP1R6N50D2 IXYS

media-3322896.pdf Виробник: IXYS
MOSFET N-CH MOSFETS (D2) 500V 1.6A
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+262.48 грн
10+ 244.91 грн
50+ 177.59 грн
100+ 148.21 грн
250+ 139.53 грн
500+ 122.84 грн
1000+ 114.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP1R6N50D2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP1R6N50D2 за ціною від 119.34 грн до 201.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP1R6N50D2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n50_datasheet.pdf.pdf IXTP1R6N50D2 THT N channel transistors
на замовлення 161 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.31 грн
8+ 126.85 грн
22+ 119.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP1R6N50D2 IXTP1R6N50D2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXTP1R6N50D2 IXTP1R6N50D2 Виробник : LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n50_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXTP1R6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 1.6A, TO-220
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 1.6
Rds(on)-Messspannung Vgs: 0
Verlustleistung Pd: 100
Bauform - Transistor: TO-220
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: N Channel
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.3
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: -
SVHC: To Be Advised
товар відсутній
IXTP1R6N50D2 IXTP1R6N50D2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n50_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXTP1R6N50D2 IXTP1R6N50D2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_1r6n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 800mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 25 V
товар відсутній