| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 463.65 грн |
| 10+ | 300.34 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP20N65X2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 290W, Case: TO220AB, Mounting: THT, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Drain current: 20A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 650V, On-state resistance: 0.185Ω, Reverse recovery time: 0.35µs, Gate charge: 27nC, Polarisation: unipolar.
Інші пропозиції IXTP20N65X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP20N65X2 | IXYS |
 MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP20N65X2 |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)