Технічний опис IXTP20N65X2 IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 290W; TO220AB; 350ns, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 650V, Drain current: 20A, Power dissipation: 290W, Case: TO220AB, On-state resistance: 0.185Ω, Mounting: THT, Kind of package: tube, Kind of channel: enhancement, Features of semiconductor devices: ultra junction x-class, Reverse recovery time: 0.35µs, Gate charge: 27nC.
Інші пропозиції IXTP20N65X2
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP20N65X2 | IXYS |
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP20N65X2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
MOSFETs TO220 650V 20A N-CH X3CLASS
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)



