на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 700.74 грн |
| 10+ | 608.20 грн |
| 50+ | 449.22 грн |
| 100+ | 428.41 грн |
| 250+ | 402.57 грн |
| 500+ | 377.46 грн |
| 1000+ | 340.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP20N65XM IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP20N65XM
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTP20N65XM | Виробник : IXYS | IXTP20N65XM THT N channel transistors |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTP20N65XM | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 650V 9A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 63W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |