Продукція > IXYS > IXTP230N075T2
IXTP230N075T2

IXTP230N075T2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.36 грн
10+292.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP230N075T2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP230N075T2 за ціною від 250.72 грн до 535.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD06B56D7B7820&compId=IXTA(P)230N075T2.pdf?ci_sign=435f3b950c6a5ee63f1c4c17cf1a54b753421988 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Gate charge: 178nC
Reverse recovery time: 66ns
On-state resistance: 4.2mΩ
Power dissipation: 480W
Drain current: 230A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+485.23 грн
10+365.02 грн
50+331.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 230A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+496.80 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_230N075T2_Datasheet.PDF MOSFETs 230 Amps 75V
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+510.33 грн
10+290.96 грн
100+250.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 Виробник : IXYS IXTA230N075T2.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+535.83 грн
50+278.66 грн
100+255.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP230N075T2 IXTP230N075T2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_trench_gate_ixt_230n075t2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 75V 230A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.