
IXTP230N075T2 IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 230A
Power dissipation: 480W
Case: TO220AB
On-state resistance: 4.2mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 178nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 66ns
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 441.53 грн |
3+ | 369.37 грн |
4+ | 293.51 грн |
9+ | 277.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP230N075T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP230N075T2 за ціною від 251.63 грн до 529.83 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP230N075T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 75V 230A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 178 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10500 pF @ 25 V |
на замовлення 326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP230N075T2 | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP230N075T2 | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP230N075T2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 230A; 480W; TO220AB; 66ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 230A Power dissipation: 480W Case: TO220AB On-state resistance: 4.2mΩ Mounting: THT Gate charge: 178nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 66ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP230N075T2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |