
IXTP24N65X2 Ixys Corporation
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
33+ | 378.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP24N65X2 Ixys Corporation
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V, Power Dissipation (Max): 390W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP24N65X2 за ціною від 230.05 грн до 593.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP24N65X2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP24N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 390ns |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP24N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 24A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.145Ω Mounting: THT Gate charge: 36nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: X2-Class Reverse recovery time: 390ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP24N65X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTP24N65X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |