Продукція > IXYS CORPORATION > IXTP24N65X2M
IXTP24N65X2M

IXTP24N65X2M Ixys Corporation

media.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
44+334.86 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 44 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP24N65X2M Ixys Corporation

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 37W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції IXTP24N65X2M за ціною від 193.11 грн до 520.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS IXTP24N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+473.55 грн
5+204.81 грн
13+193.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP24N65X2M_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+520.29 грн
10+280.28 грн
100+222.98 грн
500+194.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: X2-Class
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Power dissipation: 37W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 36nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.55 грн
5+204.81 грн
13+193.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP24N65X2M_Datasheet.PDF
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
на замовлення 40 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+520.29 грн
10+280.28 грн
100+222.98 грн
500+194.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M LFSI-S-A0007924850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.