Продукція > IXYS > IXTP24N65X2M
IXTP24N65X2M

IXTP24N65X2M IXYS

IXTP24N65X2M.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 24A; 37W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Gate charge: 36nC
Technology: X2-Class
Power dissipation: 37W
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+316.33 грн
10+233.64 грн
50+194.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP24N65X2M IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 24A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 37W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm.

Інші пропозиції IXTP24N65X2M за ціною від 157.54 грн до 479.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+339.67 грн
10+310.96 грн
100+163.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+457.29 грн
50+233.92 грн
100+213.98 грн
500+168.06 грн
1000+157.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M IXTP24N65X2M IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP24N65X2M_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+479.97 грн
10+249.90 грн
100+189.88 грн
500+184.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M LFSI-S-A0007924850-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP24N65X2M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 24 A, 0.145 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 37W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.145ohm
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3+339.67 грн
10+310.96 грн
100+163.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M ixty2n65x2.pdf
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060 pF @ 25 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+457.29 грн
50+233.92 грн
100+213.98 грн
500+168.06 грн
1000+157.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP24N65X2M Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP24N65X2M_Datasheet.PDF
IXTP24N65X2M
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 24A N-CH X2CLASS
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+479.97 грн
10+249.90 грн
100+189.88 грн
500+184.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.