IXTP260N055T2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 426.55 грн |
| 50+ | 249.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP260N055T2 Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP260N055T2 за ціною від 269.26 грн до 529.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 480W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 60ns Drain-source voltage: 55V Drain current: 260A |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
MOSFET TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns On-state resistance: 3.3mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 480W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 0.14µC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 60ns Drain-source voltage: 55V Drain current: 260A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP260N055T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive |
товару немає в наявності |