IXTP260N055T2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate charge: 0.14µC
Reverse recovery time: 60ns
On-state resistance: 3.3mΩ
Drain current: 260A
Drain-source voltage: 55V
Power dissipation: 480W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 397.57 грн |
| 3+ | 346.04 грн |
| 10+ | 298.14 грн |
| 50+ | 287.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP260N055T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP260N055T2 за ціною від 268.86 грн до 494.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP260N055T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 260A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 480W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10800 pF @ 25 V |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 260A; 480W; TO220AB; 60ns Mounting: THT Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Case: TO220AB Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 0.14µC Reverse recovery time: 60ns On-state resistance: 3.3mΩ Drain current: 260A Drain-source voltage: 55V Power dissipation: 480W Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 308 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP260N055T2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs TRENCHT2 PWR MOSFET 55V 260A |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP260N055T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 55V 260A Automotive |
товару немає в наявності |