Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTP26P10T
IXTP26P10T

IXTP26P10T Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP26P10T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 100V 26A TO220AB, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 13A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±15V.

Інші пропозиції IXTP26P10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP26P10T IXTP26P10T Виробник : IXYS media-3323709.pdf MOSFETs MOSFET P-CH 200V 26A TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.