IXTP26P20P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
On-state resistance: 0.17Ω
Drain current: -26A
Drain-source voltage: -200V
Gate charge: 56nC
Reverse recovery time: 240ns
Technology: PolarP™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 465.46 грн |
| 3+ | 298.87 грн |
| 9+ | 282.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP26P20P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTP26P20P за ціною від 269.73 грн до 566.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP26P20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
на замовлення 1413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP26P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB Mounting: THT Case: TO220AB Kind of package: tube Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar Type of transistor: P-MOSFET On-state resistance: 0.17Ω Drain current: -26A Drain-source voltage: -200V Gate charge: 56nC Reverse recovery time: 240ns Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 275 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP26P20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds |
на замовлення 7034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP26P20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
 |
IXTP26P20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTP26P20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |