Продукція > IXYS > IXTP26P20P
IXTP26P20P

IXTP26P20P IXYS

IXT_26P20P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO220AB
Mounting: THT
Drain current: -26A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
на замовлення 256 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+587.05 грн
5+481.96 грн
10+440.41 грн
50+349.01 грн
100+321.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP26P20P IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 26A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP26P20P за ціною від 324.10 грн до 661.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.69 грн
50+351.65 грн
100+324.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IXTP26P20P IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P IX%28T%2CH%2CP%2CQ%29A26P20P.pdf
IXTP26P20P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+661.69 грн
50+351.65 грн
100+324.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF
IXTP26P20P
Виробник: IXYS
MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP26P20P LFSI-S-A0007924821-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP26P20P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP26P20P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 26 A, 0.17 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.