
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
75+ | 163.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP28P065T Littelfuse
Description: MOSFET P-CH 65V 28A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP28P065T за ціною від 129.48 грн до 320.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP28P065T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP28P065T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP28P065T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 82 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP28P065T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTP28P065T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -28A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 31ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTP28P065T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTP28P065T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -65V; -28A; 83W; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -65V Drain current: -28A Power dissipation: 83W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±15V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Gate charge: 46nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 31ns |
товару немає в наявності |