на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 196.68 грн |
| 10+ | 187.28 грн |
| 25+ | 183.24 грн |
| 50+ | 171.38 грн |
| 100+ | 157.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2N100 Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP2N100 за ціною від 272.3 грн до 384.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP2N100 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 825 pF @ 25 V |
на замовлення 1983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
| IXTP2N100 | Виробник : Littelfuse |
DiscMosfet N-CH Std-HiVolt TO-220AB/FP |
товар відсутній |
||||||||||
 |
IXTP2N100 | Виробник : IXYS |
MOSFET 2 Amps 1000V 7 Rds |
товар відсутній |