на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 275.71 грн |
| 10+ | 270.92 грн |
| 50+ | 140.91 грн |
| 100+ | 133.57 грн |
| 500+ | 120.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2N100P IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 86W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP2N100P за ціною від 142.59 грн до 316.76 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP2N100P | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET N-CH 1000V 2A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 655 pF @ 25 V |
на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTP2N100P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||
| IXTP2N100P | Виробник : IXYS |
IXTP2N100P THT N channel transistors |
товару немає в наявності |