Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2N60P Ixys Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 2A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1Ohm @ 1A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.
Інші пропозиції IXTP2N60P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP2N60P | Ixys Corporation |
 Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 24 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTP2N60P | IXYS |
MOSFET 2.0 Amps 600 V 4.7 Ohm Rds |
на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP2N60P |
|
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)