на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 179.76 грн |
| 10+ | 118.13 грн |
| 500+ | 100.64 грн |
| 1000+ | 98.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2N65X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP2N65X2 за ціною від 153.42 грн до 198.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP2N65X2 | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|