Продукція > IXYS > IXTP2N65X2
IXTP2N65X2

IXTP2N65X2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_2n65x2_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.46 грн
50+158.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP2N65X2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 650V 2A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 55W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP2N65X2 за ціною від 92.27 грн до 222.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 Виробник : IXYS media-3319192.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.25 грн
10+188.27 грн
100+130.97 грн
250+125.02 грн
500+105.67 грн
1000+92.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixt_2n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2N65X2 IXTP2N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98C89C4F8CE3158BF&compId=IXTP(Y)2N65X2.pdf?ci_sign=a1b44b73e461987c86a1219b0eef051f39a61060 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 2A; 55W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Power dissipation: 55W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 2.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 137ns
Technology: X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.