Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2R4N120P Littelfuse
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO220AB, Technology: Polar™, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, Gate charge: 37nC, Reverse recovery time: 920ns, On-state resistance: 7.5Ω, Pulsed drain current: 6A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 125W.
Інші пропозиції IXTP2R4N120P за ціною від 280.87 грн до 615.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP2R4N120P | IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Case: TO220AB Technology: Polar™ Features of semiconductor devices: standard power mosfet Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 2.4A Gate charge: 37nC Reverse recovery time: 920ns On-state resistance: 7.5Ω Pulsed drain current: 6A Gate-source voltage: ±30V Power dissipation: 125W |
на замовлення 307 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP2R4N120P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP2R4N120P | IXYS |
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 454.60 грн |
| 10+ | 394.71 грн |
| 50+ | 325.74 грн |
| 100+ | 288.35 грн |
| 250+ | 280.87 грн |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 615.06 грн |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)