Продукція > IXYS > IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P IXYS

IXT_2R4N120P.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.32 грн
4+285.08 грн
9+269.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP2R4N120P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Reverse recovery time: 920ns, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, On-state resistance: 7.5Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 125W, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Gate charge: 37nC, Technology: Polar™, Kind of channel: enhancement, Gate-source voltage: ±30V, Pulsed drain current: 6A, Mounting: THT, Case: TO220AB, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTP2R4N120P за ціною від 247.19 грн до 576.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS media-3319294.pdf MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.12 грн
10+434.86 грн
50+342.09 грн
100+314.87 грн
250+300.89 грн
500+283.24 грн
1000+247.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
On-state resistance: 7.5Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 125W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Gate charge: 37nC
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 6A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+576.38 грн
4+355.25 грн
9+323.70 грн
500+310.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.