IXTP2R4N120P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 454.60 грн |
| 10+ | 394.71 грн |
| 50+ | 325.74 грн |
| 100+ | 288.35 грн |
| 250+ | 280.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2R4N120P IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Kind of channel: enhancement, Mounting: THT, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO220AB, Technology: Polar™, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, Gate charge: 37nC, Reverse recovery time: 920ns, On-state resistance: 7.5Ω, Pulsed drain current: 6A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 125W.
Інші пропозиції IXTP2R4N120P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | _PRICE_WITHOUT_VAT | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP2R4N120P | IXYS |
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 482.43 грн |
| 10+ | 408.06 грн |
| 50+ | 321.01 грн |
| 100+ | 295.47 грн |
| 250+ | 282.35 грн |
| 500+ | 265.78 грн |
| 1000+ | 231.95 грн |