Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2R4N120P Littelfuse
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Reverse recovery time: 920ns, Mounting: THT, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 125W, Gate charge: 37nC, Polarisation: unipolar, Technology: Polar™, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 2.4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: TO220AB, On-state resistance: 7.5Ω.
Інші пропозиції IXTP2R4N120P за ціною від 286.76 грн до 613.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP2R4N120P | IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W Reverse recovery time: 920ns Mounting: THT Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 125W Gate charge: 37nC Polarisation: unipolar Technology: Polar™ Features of semiconductor devices: standard power mosfet Drain current: 2.4A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 1.2kV Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 7.5Ω |
на замовлення 307 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP2R4N120P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP2R4N120P | IXYS |
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.5Ω
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 7.5Ω
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 464.14 грн |
| 10+ | 402.99 грн |
| 50+ | 332.57 грн |
| 100+ | 294.40 грн |
| 250+ | 286.76 грн |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 613.70 грн |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)