Продукція > LITTELFUSE > IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P Littelfuse

te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+384.62 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP2R4N120P Littelfuse

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, On-state resistance: 7.5Ω, Reverse recovery time: 920ns, Mounting: THT, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 125W, Gate charge: 37nC, Polarisation: unipolar, Technology: Polar™, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 2.4A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 1.2kV, Type of transistor: N-MOSFET, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Case: TO220AB.

Інші пропозиції IXTP2R4N120P за ціною від 255.51 грн до 645.99 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS media-3319294.pdf MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+531.43 грн
10+449.50 грн
50+353.61 грн
100+325.47 грн
250+311.02 грн
500+292.77 грн
1000+255.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Littelfuse te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+642.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P IXYS IXT_2R4N120P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+645.99 грн
4+319.23 грн
9+302.07 грн
250+290.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P media-3319294.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+531.43 грн
10+449.50 грн
50+353.61 грн
100+325.47 грн
250+311.02 грн
500+292.77 грн
1000+255.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+642.40 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXT_2R4N120P.pdf
IXTP2R4N120P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
On-state resistance: 7.5Ω
Reverse recovery time: 920ns
Mounting: THT
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Gate charge: 37nC
Polarisation: unipolar
Technology: Polar™
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 2.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 1.2kV
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+645.99 грн
4+319.23 грн
9+302.07 грн
250+290.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.