| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 368.26 грн |
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання:
21-31 дні (днів)
Мінімальна партія:
50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP2R4N120P Littelfuse
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, Case: TO220AB, Polarisation: unipolar, On-state resistance: 7.5Ω, Pulsed drain current: 6A, Power dissipation: 125W, Technology: Polar™, Kind of channel: enhancement, Gate charge: 37nC, Reverse recovery time: 920ns, Gate-source voltage: ±30V, Kind of package: tube, Mounting: THT, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Type of transistor: N-MOSFET.
Інші пропозиції IXTP2R4N120P за ціною від 277.71 грн до 618.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP2R4N120P | Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTP2R4N120P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 2.4A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 7.5Ω Pulsed drain current: 6A Power dissipation: 125W Technology: Polar™ Kind of channel: enhancement Gate charge: 37nC Reverse recovery time: 920ns Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mounting: THT Features of semiconductor devices: standard power mosfet Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 304 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTP2R4N120P | IXYS |
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds |
на замовлення 294 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 615.06 грн |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Case: TO220AB
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Power dissipation: 125W
Technology: Polar™
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 618.50 грн |
| 4+ | 305.65 грн |
| 9+ | 289.21 грн |
| 250+ | 277.71 грн |
| IXTP2R4N120P |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)