Продукція > IXYS > IXTP2R4N120P
IXTP2R4N120P

IXTP2R4N120P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
на замовлення 307 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+436.23 грн
10+378.76 грн
50+312.57 грн
100+276.69 грн
250+269.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP2R4N120P IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Case: TO220AB, Technology: Polar™, Mounting: THT, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Kind of package: tube, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 2.4A, Gate charge: 37nC, Reverse recovery time: 920ns, On-state resistance: 7.5Ω, Pulsed drain current: 6A, Gate-source voltage: ±30V, Power dissipation: 125W, кількість в упаковці: 1 шт.

Інші пропозиції IXTP2R4N120P за ціною від 257.20 грн до 534.95 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE993964EAD3952F8BF&compId=IXT_2R4N120P.pdf?ci_sign=eb8ee9bf4f44f4620c1e19588ea25a870e1c1b6d Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.2kV; 2.4A; Idm: 6A; 125W
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Technology: Polar™
Mounting: THT
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 2.4A
Gate charge: 37nC
Reverse recovery time: 920ns
On-state resistance: 7.5Ω
Pulsed drain current: 6A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 125W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 307 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.48 грн
10+471.99 грн
50+375.09 грн
100+332.03 грн
250+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS media-3319294.pdf MOSFETs 2.4 Amps 1200V 7.5 Rds
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.95 грн
10+452.48 грн
50+355.95 грн
100+327.63 грн
250+313.08 грн
500+294.71 грн
1000+257.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : Littelfuse te_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 2.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP2R4N120P IXTP2R4N120P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_2r4n120p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 2.4A TO220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.