на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 95+ | 134.61 грн |
| 99+ | 129.48 грн |
| 102+ | 125.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP32P05T Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTP32P05T - MOSFET, P-CH, 50V, 32A, TO-220, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm, directShipCharge: 25.
Інші пропозиції IXTP32P05T за ціною від 74.22 грн до 286.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP32P05T | Виробник : IXYS |
 Category: THT P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Case: TO220AB Technology: TrenchP™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -32A Reverse recovery time: 26ns Gate charge: 46nC On-state resistance: 39mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 83W |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP32P05T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 50V 32A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1975 pF @ 25 V |
на замовлення 2866 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP32P05T | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -32A; 83W; TO220AB Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: P-MOSFET Case: TO220AB Technology: TrenchP™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -32A Reverse recovery time: 26ns Gate charge: 46nC On-state resistance: 39mΩ Gate-source voltage: ±15V Power dissipation: 83W кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP32P05T | Виробник : IXYS |
MOSFETs 32 Amps 50V 0.036 Rds |
на замовлення 6983 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP32P05T | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP32P05T - MOSFET, P-CH, 50V, 32A, TO-220 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 32A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP32P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTP32P05T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 50V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |