IXTP32P20T

IXTP32P20T LITTELFUSE


LFSI-S-A0007925129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1095 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+574.43 грн
5+ 533.98 грн
10+ 492.79 грн
50+ 419.34 грн
100+ 351.78 грн
250+ 344.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP32P20T LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: Boric acid (14-Jun-2023).

Інші пропозиції IXTP32P20T за ціною від 330.81 грн до 622.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : IXYS DS100288A(IXTA-TP-TH-TQ32P20T).pdf Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+580.63 грн
50+ 446.51 грн
100+ 399.5 грн
500+ 330.81 грн
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : IXYS media-3320433.pdf MOSFET TenchP Power MOSFET
на замовлення 3997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+622.33 грн
10+ 525.91 грн
50+ 413.92 грн
100+ 380.54 грн
250+ 353.17 грн
500+ 350.5 грн
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : IXYS IXT_32P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : IXYS IXT_32P20T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Mounting: THT
Kind of package: tube
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
On-state resistance: 0.13Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 300W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 185nC
Technology: TrenchP™
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±15V
Case: TO220AB
Reverse recovery time: 190ns
товар відсутній