IXTP32P20T LITTELFUSE
Виробник: LITTELFUSEDescription: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 650.91 грн |
| 5+ | 607.12 грн |
| 10+ | 563.32 грн |
| 50+ | 482.42 грн |
| 100+ | 398.20 грн |
| 250+ | 390.10 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP32P20T LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTP32P20T за ціною від 343.86 грн до 780.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP32P20T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V |
на замовлення 407 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTP32P20T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TenchP Power MOSFET |
на замовлення 2852 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
| IXTP32P20T | Виробник : IXYS |
IXTP32P20T THT P channel transistors |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
IXTP32P20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
IXTP32P20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |


