Продукція > IXYS > IXTP32P20T
IXTP32P20T

IXTP32P20T IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EF0A8A8C018BF&compId=IXT_32P20T.pdf?ci_sign=6bc8fc2e384d370d1b27158e2571e9d58c0bf6c0 Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±15V
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+624.58 грн
3+429.22 грн
6+405.42 грн
50+403.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP32P20T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 32A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Produktreihe TrenchP, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTP32P20T за ціною від 346.93 грн до 749.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007925129-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTP32P20T - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 32 A, 0.13 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe TrenchP
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.13ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+647.64 грн
5+604.07 грн
10+560.49 грн
50+480.00 грн
100+396.20 грн
250+388.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : Littelfuse Inc. Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-32P20T-Datasheet.PDF?assetguid=41EE09BF-5ADB-4340-95F0-9B4C12E513EA Description: MOSFET P-CH 200V 32A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V
на замовлення 111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+650.88 грн
50+376.13 грн
100+346.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_32P20T_Datasheet.PDF MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 2854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+709.09 грн
10+408.17 грн
100+353.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98E9EF0A8A8C018BF&compId=IXT_32P20T.pdf?ci_sign=6bc8fc2e384d370d1b27158e2571e9d58c0bf6c0 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -200V; -32A; 300W; 190ns
Type of transistor: P-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO220AB
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -200V
Drain current: -32A
Reverse recovery time: 190ns
Gate charge: 185nC
On-state resistance: 0.13Ω
Gate-source voltage: ±15V
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 300W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+749.49 грн
3+534.87 грн
6+486.50 грн
50+484.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP32P20T IXTP32P20T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_32p20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 32A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.