IXTP340N04T4 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 40V 340A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 362.96 грн |
| 50+ | 276.88 грн |
| 100+ | 237.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP340N04T4 IXYS
Description: MOSFET N-CH 40V 340A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 256 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP340N04T4 за ціною від 169.75 грн до 402.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP340N04T4 | Виробник : IXYS |
MOSFET 40V/340A TrenchT4 Power MOSFET |
на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP340N04T4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO220AB; 43ns Mounting: THT Power dissipation: 480W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 256nC Kind of channel: enhanced Case: TO220AB Reverse recovery time: 43ns Drain-source voltage: 40V Drain current: 340A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTP340N04T4 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 480W; TO220AB; 43ns Mounting: THT Power dissipation: 480W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 256nC Kind of channel: enhanced Case: TO220AB Reverse recovery time: 43ns Drain-source voltage: 40V Drain current: 340A On-state resistance: 1.9mΩ Type of transistor: N-MOSFET |
товар відсутній |