Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXTP34N65X2
IXTP34N65X2

IXTP34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR

ixty2n65x2.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+558.14 грн
10+431.25 грн
100+304.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP34N65X2 за ціною від 278.63 грн до 616.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+580.14 грн
50+303.22 грн
100+278.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_34N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+616.46 грн
10+334.76 грн
100+288.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.