Продукція > IXYS > IXTP34N65X2
IXTP34N65X2

IXTP34N65X2 IXYS


littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 158 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.11 грн
50+278.30 грн
100+269.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP34N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 540W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTP34N65X2 за ціною від 290.50 грн до 554.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 540W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+534.01 грн
10+299.90 грн
100+290.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_34N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+554.48 грн
10+345.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : Littelfuse sfets_n-channel_ultra_junction_ixt_34n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE99396442E3226F8BF&compId=IXT_34N65X2.pdf?ci_sign=0ea056e8008ffbda4aac0eaac650eb7fba1e7e65 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 34A; 540W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
Power dissipation: 540W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 390ns
Technology: X2-Class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.