IXTP34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR


LFSI-S-A0007924881-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 540W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: X2-Class
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm
на замовлення 381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+595.66 грн
10+501.30 грн
100+297.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP34N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP34N65X2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 34 A, 0.096 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 34A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, Verlustleistung: 540W, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017), Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: X2-Class, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.096ohm.

Інші пропозиції IXTP34N65X2 за ціною від 288.33 грн до 656.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS ixty2n65x2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+639.26 грн
50+337.64 грн
100+310.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 IXTP34N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_34N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+656.37 грн
10+363.13 грн
100+290.44 грн
500+288.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 ixty2n65x2.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 34A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+639.26 грн
50+337.64 грн
100+310.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP34N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_34N65X2_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 34A N-CH X2CLASS
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+656.37 грн
10+363.13 грн
100+290.44 грн
500+288.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.