Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP36N30P

IXTP36N30P

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
Код товару: 208172
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP36N30P за ціною від 161.49 грн до 467.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP36N30P IXTP36N30P Littelfuse discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+189.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P Littelfuse discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+230.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P Littelfuse discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+230.90 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS IXTA36N30P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+357.06 грн
5+282.53 грн
10+265.08 грн
15+255.11 грн
25+241.81 грн
30+237.66 грн
50+235.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0 Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+467.53 грн
50+239.53 грн
100+219.16 грн
500+172.22 грн
1000+161.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_36N30P_Datasheet.PDF MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTP36N30P IXYS SEMICONDUCTOR 2359843.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf
IXTP36N30P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+189.09 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf
IXTP36N30P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+230.85 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_36n30p_datasheet.pdf
IXTP36N30P
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
62+230.90 грн
Мінімальне замовлення: 62 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P IXTA36N30P-DTE.pdf
IXTP36N30P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 300V; 36A; 300W; TO220AB
Reverse recovery time: 250ns
Mounting: THT
Power dissipation: 300W
Gate charge: 70nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarHT™
Drain current: 36A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 300V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.11Ω
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+357.06 грн
5+282.53 грн
10+265.08 грн
15+255.11 грн
25+241.81 грн
30+237.66 грн
50+235.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36n30p-datasheet?assetguid=bf954b1e-fc82-433f-b03c-f41721f34fc0
IXTP36N30P
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 1832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+467.53 грн
50+239.53 грн
100+219.16 грн
500+172.22 грн
1000+161.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_36N30P_Datasheet.PDF
IXTP36N30P
Виробник: IXYS
MOSFETs 36 Amps 300V 0.11 Rds
на замовлення 4590 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36N30P 2359843.pdf
IXTP36N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP36N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 36 A, 0.092 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.092ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.